Os investigadores Alexandre Silva, Veniero Lenzi, Luís Marques e José P. B. Silva, em colaboração com uma equipa de investigadores do Institut de Ciència de Materials de Barcelona, acabam de publicar na conceituada revista Materials Today Physics, de fator de impacto 11.021.
O artigo original "Unraveling the ferroelectric switching mechanisms in ferroelectric pure and La doped HfO2 epitaxial thin films" investiga o efeito da dopagem de Lantânio e da presença de fases paraeléctricas nas propriedades ferroeléctricas de filmes finos de háfnia. Foi demonstrado que a dopagem reduz o campo coercivo, com grande impacto na implementação de futuros dispositivos ferroeléctricos de potência ultra-baixa.
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