Os investigadores Anna P. S. Crema, Alexandre Silva, Veniero Lenzi, Leonardo Domingues, Maria J. M. Gomes, Mario Pereira, Luís Marques e José P. B. Silva, em colaboração com uma equipa de investidores da Universidade de Cambridge, da Universidade de Bucareste e do Instituto Nacional de Física dos Materiais na Roménia, acabam de publicar na conceituada revista Advanced Science, de fator de impacto 17.521.
O artigo original "Ferroelectric orthorhombic ZrO2 thin films achieved through nanosecond laser annealing" desvenda um novo método para o fabrico de filmes finos de zircónia ortorrômbica com propriedades ferroelétricas promissoras para dispositivos de memória.
O recozimento por laser de nanossegundos, tal como demonstrado no artigo, permite evitar a oxidação dos elétrodos de tunsgténio, o que é uma vantagem relativamente aos fabrico destes materiais utilizando os tratamentos térmicos convencionais, o que se traduz numa melhor performance do dispostivio de memória.
Link para o artigo: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/advs.202207390